BSC027N04LSGATMA1

Name: BSC027N04LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

The BSC027N04LSGATMA1 MOSFET is characterized by its N-channel design

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部品番号 : BSC027N04LSGATMA1
パッケージ/ケース : TDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSC027N04LSGATMA1 データシート (PDF)
Series : BSC027N04LS-G

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概要 BSC027N04LSGATMA1

Featuring an excellent gate charge x R DS(on) product and very low on-resistance, the OptiMOS 40V transistor (BSC027N04LSGATMA1) is the perfect solution for synchronous rectification in switched mode power supplies commonly found in servers and desktops. Moreover, these versatile devices are well-suited for industrial applications like motor control and fast-switching DC-DC converters. By offering high system efficiency and reducing the need for paralleling, OptiMOS 40V helps increase power density and lower system costs. Additionally, its RoHS compliance and halogen-free nature ensure environmental sustainability and safety. With its ability to minimize voltage overshoot, this transistor is an excellent choice for fast switching applications, delivering reliable performance and enhanced system efficiency

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	BSC027N	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 49µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6800 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 83W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8-1
Package / Case	TDSON-8	Base Product Number	BSC027
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	100 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.7 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	64 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	83 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS 5	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Single	Fall Time	6.2 ns
Forward Transconductance - Min	70 S	Height	1.27 mm
Length	5.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	5.6 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	39 ns	Typical Turn-On Delay Time	9.8 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	BSC027N04LS G SP000354810
Unit Weight	0.003683 oz

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