BSZ0910LSATMA1

Name: BSZ0910LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-performance power switching device for demanding applications

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.523	$0.52
200	$0.209	$41.80
500	$0.201	$100.50
1000	$0.198	$198.00

在庫：5,409

*価格は参考値です。

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部品番号 : BSZ0910LSATMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSZ0910LSATMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ0910LS

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概要 BSZ0910LSATMA1

N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS™ 5	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 37W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TDSON-8 FL
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	BSZ0910
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.6 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	17 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	37 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Fall Time	3 ns
Forward Transconductance - Min	41 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	4.4 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	16 ns	Typical Turn-On Delay Time	3.3 ns
Part # Aliases	BSZ0910LS SP005424269	Unit Weight	0.001367 oz

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