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C3M0065090D

Silicon carbide MOSFET with a 65mOhm resistance at 900V

在庫：2,560

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概要 C3M0065090D

Furthermore, the C3M0065090D is RoHS compliant, making it environmentally friendly and safe for use in various electronic devices. The TO-247-3 package provides excellent thermal performance and durability, allowing for reliable operation in harsh environments. Whether you're designing high-power inverters, motor drives, or power supplies, this MOSFET is sure to meet your performance requirements

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 900 V Id - Continuous Drain Current 36 A
Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.8 V Qg - Gate Charge 30.4 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 125 W Channel Mode Enhancement
Brand Wolfspeed Configuration Single
Fall Time 25 ns Forward Transconductance - Min 11.6 S
Product Power MOSFETs Product Type MOSFET
Rise Time 36 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Type Silicon Carbide MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 28 ns Typical Turn-On Delay Time 21 ns
Unit Weight 0.211644 oz

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