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DMN62D1SFB-7B

Featuring a 3DFN package, this MOSFET is an N-channel type designed for operation with voltages up to 60V and currents of 410mA

数量 単価(USD) 合計金額
5 $0.052 $0.26
50 $0.046 $2.30
150 $0.043 $6.45
500 $0.040 $20.00
2500 $0.038 $95.00
5000 $0.037 $185.00

在庫：5,856

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概要 DMN62D1SFB-7B

The DMN62D1SFB-7B is a small signal field-effect transistor with a maximum drain current (I(D)) of 0.41A and a breakdown voltage of 60V. This N-channel Silicon MOSFET is designed for high performance in electronic circuits requiring low power consumption and compact size. The green color and ultra-small plastic package make it easy to integrate into dense PCB layouts. The DFN1006-3 package with 3 pins allows for secure and reliable connections in various applications

主な特長

  • Low On-Resistance: RDS(ON)
  • Low Gate Threshold Voltage
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant "Green" Device (Notes 2, 4 and 6)
  • ESD Protected Up To 2kV

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case X1-DFN1006-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 410 mA Rds On - Drain-Source Resistance 1.4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.3 V
Qg - Gate Charge 2.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 470 mW
Channel Mode Enhancement Series DMN62D1SFB
Brand Diodes Incorporated Configuration Single
Fall Time 11.96 ns Forward Transconductance - Min 100 mS
Product Type MOSFET Rise Time 4.93 ns
Factory Pack Quantity 10000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 18.8 ns
Typical Turn-On Delay Time 3.89 ns Unit Weight 0.002822 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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