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FDMC013P030Z

FDMC013P030Z ON Semiconductor Transistors MOSFETs P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com

在庫:5,759

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概要 FDMC013P030Z

The FDMC013P030Z P-Channel MOSFET sets a new standard in power electronics with its innovative design and advanced features. Engineered using the latest PowerTrench technology, this MOSFET excels in reducing rDS(on) and enhancing switching performance, making it a preferred choice for various applications. Its rugged construction ensures durability and reliability, while its optimized design guarantees efficient power management. Trust the FDMC013P030Z to deliver superior performance and uncompromising quality in your electronic systems

主な特長

  • Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = -10 V, ID = -14 A
  • Max rDS(on) = 12.0 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -10 A
  • High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
  • High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package
  • Termination is Lead-free and RoHS Compliant
  • HBM ESD Capability Level> 4 kV Typical (Note 4)

応用

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type P-Channel
Technology Si Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V Vgs (Max) ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5785 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3) Package / Case Power-33-8
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 54 A
Rds On - Drain-Source Resistance 12 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 135 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 30 W Channel Mode Enhancement
Series FDMC013P030Z Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Height 0.8 mm
Length 3.3 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Width 3.3 mm Unit Weight 0.005832 oz

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