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FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

在庫:5,963

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概要 FDMC2610

This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of an advanced Power Trench process. It has been optimized for power management applications.

主な特長

  • Fast Turn-On Time - Ton = 50ns
  • High Surge Withstanding Capability - IC = 10A
  • Low Noise Figure - FNOISE = 3dB @ 1GHz

応用

  • This product is versatile.
  • Great for various uses.
  • Perfect for multiple tasks.

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDMC2610 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Package / Case Power-33-8 Base Product Number FDMC26
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V Id - Continuous Drain Current 9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 200 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 18 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2.1 W Channel Mode Enhancement
Tradename UltraFET Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 16 ns
Forward Transconductance - Min 7 S Height 0.8 mm
Length 3.3 mm Product Type MOSFET
Rise Time 13 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 29 ns
Typical Turn-On Delay Time 17 ns Width 3.3 mm
Unit Weight 0.005832 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・交換:90日以内

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