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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

在庫：7,427

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概要 FDMC8015L

With the FDMC8015L N-Channel MOSFET, advanced engineering meets superior functionality. Developed using a specialized Power Trench® process, this semiconductor component excels in reducing on-state resistance while maintaining top-notch switching capabilities. It represents a pinnacle of performance and quality in the realm of power electronics

主な特長

  • Fast Response Time
  • Low Power Consumption
  • Silicon Valley Design
  • Automotive Grade Reliability
  • Compact SMT Package
  • Efficient Thermal Management

応用

  • Practice makes perfect

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDMC8015L Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 24W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Package / Case Power-33-8 Base Product Number FDMC8015
Manufacturer onsemi Product Category MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Id - Continuous Drain Current 7 A
Rds On - Drain-Source Resistance 26 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 19 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 24 W Channel Mode Enhancement
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Forward Transconductance - Min 30 S Height 0.8 mm
Length 3.3 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 3.3 mm
Unit Weight 0.006349 oz

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