FZT855TA

Name: FZT855TA
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.5 (10 reviews)

The FZT855TA is part of the FZT855 Series, featuring a high-performance NPN silicon transistor designed for applications requiring up to 5A and 150V

在庫：7,694

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Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 5 A 90MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	RoHS	Details
REACH	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-223-4	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V
Collector- Base Voltage VCBO	250 V	Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	355 mV	Maximum DC Collector Current	5 A
Pd - Power Dissipation	3 W	Gain Bandwidth Product fT	90 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	FZT855	Brand	Diodes Incorporated
Continuous Collector Current	5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	15 at 5 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max	100	Height	1.65 mm
Length	6.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.7 mm
Unit Weight	0.003951 oz

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