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IPB60R280P7ATMA1

Cutting-Edge MOSFET for Energy-Efficient Solutions

在庫:6,041

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概要 IPB60R280P7ATMA1

Behold the IPB60R280P7ATMA1 from Infineon Technologies, a game-changing power transistor designed to deliver exceptional performance and reliability in high-power applications. With a breakdown voltage of 650V and a continuous drain current rating of 23A, this CoolMOS P7 Superjunction MOSFET is ready to meet the demands of power systems requiring top-notch efficiency and dependable operation. Its low on-state resistance of 0.28 ohms is instrumental in reducing power losses and improving overall efficiency in power conversion systems. What's more, the integration of Infineon's latest Superjunction technology further enhances its performance and thermal characteristics, solidifying its position as a standout choice for demanding power applications. Housed in a compact TO-263 package, the IPB60R280P7ATMA1 not only delivers exceptional performance but also offers seamless integration into various circuit designs, making it a top contender in the realm of power transistors

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series CoolMOS™ P7 Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 190µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 53W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-TO263-3
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Base Product Number IPB60R280

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