• packageimg
packageimg

IPW60R070C6FKSA1

High-power transistor for demanding applicatio

在庫:5,070

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IPW60R070C6FKSA1 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IPW60R070C6FKSA1

N-Channel 600 V 53A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 53 A
Rds On - Drain-Source Resistance 63 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V Qg - Gate Charge 170 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 391 W Channel Mode Enhancement
Tradename CoolMOS Series CoolMOS C6
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 5 ns Height 21.1 mm
Length 16.13 mm Product Type MOSFET
Rise Time 12 ns Factory Pack Quantity 240
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 83 ns Typical Turn-On Delay Time 16 ns
Width 5.21 mm Part # Aliases IPW60R070C6 SP000645060
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。