• SIHG47N60E-GE3 TO-247-3
SIHG47N60E-GE3 TO-247-3

SIHG47N60E-GE3

Unipolar N-MOSFET transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 30A

在庫：7,937

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概要 SIHG47N60E-GE3

N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC

主な特長

  • Enhanced fault tolerance with redundant logic
  • Much improved power quality with reduced harmonic distortion
  • Robust isolation and electrical insulation features

応用

  • oUser-friendly interface
  • oCompact footprint
  • oStable output voltage

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 47 A
Rds On - Drain-Source Resistance 64 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 148 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 357 W Channel Mode Enhancement
Series E Brand Vishay / Siliconix
Configuration Single Fall Time 82 ns
Product Type MOSFET Rise Time 72 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time 93 ns Typical Turn-On Delay Time 28 ns
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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