• packageimg
packageimg

IRG4PH50KPBF

IGBT Chip for Power Transistors

在庫：7,548

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IRG4PH50KPBF このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IRG4PH50KPBF

Featuring a TO-247AC housing type, the IRG4PH50KPBF IGBT offers a collector-emitter breakdown voltage of 1200V, allowing for robust performance in demanding applications. The 3.5V collector-emitter saturation voltage ensures efficient operation, while the 280ns current release time enables rapid response in dynamic systems. With a power dissipation rating of 200W, this IGBT is well-suited for high-power circuits where thermal management is critical

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 45 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 24A
Power - Max 200 W Switching Energy 1.21mJ (on), 2.25mJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 180 nC
Td (on/off) @ 25°C 36ns/200ns Test Condition 960V, 24A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3 Supplier Device Package TO-247AC
Base Product Number IRG4PH50

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

AFT27S006NT1

AFT27S006NT1

Airfast LDMOS transistor offering high efficiency and low distortion from MH
CM100DY-34A

CM100DY-34A

N-Channel High Voltage
TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ

P-Channel 60V 60A 3-Pin MOSFET, TJ60S06M3L (T6L1, NQ), in DPAK Package
IRLL2705PBF

IRLL2705PBF

Tube packaging of IRLL2705PBF N-channel Silicon Transistor MOSFET
IRFS4010-7PPBF

IRFS4010-7PPBF

Advanced D2PAK package with high current handling capabilities
IKQ120N60TXKSA1

IKQ120N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-Channel 600V 160A 833W TO-247
SS8050CBU

SS8050CBU

SS8050CBU: NPN Transistor Ideal for General Purpose Use, 25V, 1.5A
MRF8372

MRF8372

Bipolar Transistor for RF Communication Devices
MTD20N06HDL

MTD20N06HDL

High-power N-CHANNEL MOSFET with 20A current capacity
2SA2018TL

2SA2018TL

PNP Bipolar Transistor designed for General Purpose Applications, featuring a Voltage Rating of 12V and a Current Handling Capability of 0