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IXBL60N360

417W 92A 3.6kV - IGBTs ROHS

数量 単価(USD) 合計金額
1 $308.719 $308.72
200 $123.181 $24,636.20
500 $119.065 $59,532.50
1000 $117.031 $117,031.00

在庫:6,863

*価格は参考値です。
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概要 IXBL60N360

The IXBL60N360 BiMOSFETs are power devices that combine the advantages of MOSFETs and IGBTs. With a non-epitaxial construction and innovative fabrication processes, these high voltage devices have proven to be highly effective in various applications. Their ability to operate in parallel is enhanced by the positive voltage temperature coefficient of both saturation voltage and forward voltage drop of the intrinsic diode. Moreover, the built-in body diode acts as a protection mechanism, diverting inductive load current during device turn-off to prevent voltage transients that could potentially damage the device

主な特長

  • Rugged mechanical construction
  • High vibration tolerance
  • Wide operating temperature range

応用

  • High voltage testing
  • Switched-mode designs
  • Uninterruptible power

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Not for New Designs VCES - Collector-Emitter Voltage (V) 3600
Collector Current @ 25 ℃ (A) 92 VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 3.4
Configuration Copack (FRED) Package Type TO-264I
Fall Time [Resistive Load] (ns) 910 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.3
Collector Current @ 110 ℃ (A) 36 Driving Voltages (V) 15

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。