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IXFM75N10

-Element, 2 PIN, 75A I(D), 100V, Metal-oxide Semiconductor, N-Channel, Power Field-Effect Transistor, Silicon, TO-204, TO-204, low resistance

在庫：8,997

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概要 IXFM75N10

Featuring a TO-220 package, the IXFM75N10 offers thermal efficiency and easy mounting onto heatsinks for effective heat dissipation. This package design enhances the MOSFET's longevity and reliability, even in demanding operating conditions. The robust materials and manufacturing processes used in its construction further guarantee durability and consistent performance over time. Whether used in power supplies or motor drives, the IXFM75N10 is a versatile component that delivers superior results in power management systems

主な特長

  • The IXFM75N10 is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 75A
  • It features low on-resistance for efficient power handling, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters
  • Additionally, it offers fast switching characteristics for improved performance in switching applications

    • 応用

    • Optimal choice for industrial automation
    • Highly reliable power MOSFET transistor
    • Fast switching speeds for automotive systems

    仕様

    以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style Through Hole
    Package / Case TO-204AE-3 Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
    Id - Continuous Drain Current 75 A Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 W
    Channel Mode Enhancement Tradename HiPerFET
    Brand IXYS Configuration Single
    Fall Time 60 ns Forward Transconductance - Min 30 S
    Height 11.4 mm Length 39.12 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 60 ns
    Factory Pack Quantity 20 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 80 ns
    Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 26.66 mm
    Unit Weight 0.229281 oz

    保証と返品

    保証、返品、および追加情報

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