IXTA06N120P

Name: IXTA06N120P
Brand: Ixys Integrated Circuits Division
Rating: 4.5 (10 reviews)

D2PAK package houses a 0.6A rating power MOSFET

在庫：8,159

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N-Channel 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263AA

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current	600 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	34 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	13.3 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	42 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IXTA06N120	Brand	IXYS
Configuration	Single	Fall Time	34 ns
Forward Transconductance - Min	0.28 S	Height	4.5 mm
Length	9.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	37 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns	Typical Turn-On Delay Time	19 ns
Width	9.2 mm	Unit Weight	0.081130 oz

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