• packageimg
packageimg

IXTA120P065T

Transistor MOSFET for P-channel applications with 65V voltage rating and 120A current rating in a 3-pin D2PAK package

在庫：5,106

  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください IXTA120P065T このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 IXTA120P065T

The IXTA120P065T is a top-notch Trench P-Channel MOSFET, designed specifically for high side switching applications. Its innovative design allows for a simple drive circuit referenced to ground, eliminating the need for additional high side driver circuitry that is typically required with N-Channel MOSFETs. This not only simplifies the overall drive circuit but also reduces component count, leading to significant cost savings for designers. By using this MOSFET, designers can create a complementary power output stage by pairing it with a corresponding N-Channel MOSFET, enabling the design of a power half bridge stage with a simplistic drive circuit

主な特長

  • Low ESR capacitance
  • Improved reliability
  • Silicon carbide construction
  • Avalanche rated

応用

  • Compact high-efficiency power supplies
  • Advanced inverters and chargers
  • Dependable battery management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) -65 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.01
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) -120 Gate Charge (nC) 185
Input Capacitance, CISS (pF) 13200 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns) 53 Power Dissipation (W) 298
Sample Request No Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。