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MUN5230DW1T1G

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

在庫:7,636

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概要 MUN5230DW1T1G

The MUN5230DW1T1G digital transistor is a game-changer in electronic design, offering a seamless integration of a monolithic bias network into a single device. With two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor - incorporated into the transistor, the need for external components is eliminated, resulting in significant cost savings and efficient use of board space. This innovative Bias Resistor Transistor (BRT) simplifies the assembly process and enhances the overall functionality of the system, making it an indispensable component in modern electronic applications

主な特長

  • Saves Costs with Simplified Design
  • Faster Development Cycles
  • Improved System Maintenance

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2) 1kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA Power - Max 250mW
Mounting Type Surface Mount Package / Case SOT-363-6
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363 Base Product Number MUN5230
Manufacturer onsemi Product Category Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS Details Configuration Dual
Transistor Polarity NPN Typical Input Resistor 1 kOhms
Mounting Style SMD/SMT Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 100 mA Peak DC Collector Current 100 mA
Pd - Power Dissipation 187 mW Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series MUN5230DW1
Brand onsemi DC Current Gain hFE Max 3 at 5 mA at 10 V
Height 0.9 mm Length 2 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Width 1.25 mm
Unit Weight 0.000423 oz

保証と返品

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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