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NVD5C688NLT4G

NVD5C688NLT4G is a MOSFET transistor operating in the N-channel configuration, supporting voltages of up to 60V and currents of up to 17A

在庫：8,956

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概要 NVD5C688NLT4G

Designed with precision and quality in mind, the NVD5C688NLT4G Automotive Power MOSFET is a top-notch component that promises superior performance in automotive applications. Its compact DPAK package not only saves space but also enhances efficiency, while its high thermal performance ensures stable operation under varying temperatures. This MOSFET's AEC-Q101 qualification and PPAP capability further solidify its suitability for automotive use, giving engineers and designers peace of mind knowing they are working with a reliable and robust component

主な特長

  • High surge immunity
  • Wide operating temperature
  • Minimal thermal generation
  • Robust against electromagnetic interference

応用

  • Robotics driver
  • Industrial relay
  • Automotive module

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 Case Outline 369C
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 60
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 2.1
ID Max (A) 17 PD Max (W) 18
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 40 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 27.4
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 6 Ciss Typ (pF) 400
Pricing ($/Unit) $0.5835

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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