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NVD5867NLT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：9,492

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概要 NVD5867NLT4G

The NVD5867NLT4G is a high-performance N-channel MOSFET designed for a wide range of applications. With a drain source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of 22A, this transistor offers low on-resistance (Rds(on)) of 0.026ohm and a threshold voltage (Vgs) of 1.8V. The TO-252 case style with 3 pins makes it easy to integrate into different circuit designs. It has a power dissipation (Pd) of 43W and can operate at temperatures up to 175°C, making it suitable for automotive and industrial environments. The NVD5867NLT4G also meets AEC-Q101 qualification standards and is compliant with MSL 1 - Unlimited requirements, free from lead (SVHC)

主な特長

  • Excellent Thermal Performance and Low RDS(on)
  • Compact Size for Easy Installation and Space Saving
  • Fully Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU
  • Achieves High Efficiency in Wide Load Range

応用

  • Smart home automation system
  • Industrial control module
  • Wireless sensor network

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tape & Reel (TR) Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta), 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade Automotive Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package DPAK-3
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Base Product Number NVD586

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