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NVD5865NLT4G

Automotive-grade Transistor with N-channel MOSFET, 3-pin configuration

在庫：6,117

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概要 NVD5865NLT4G

The NVD5865NLT4G MOSFET is a high-quality, N-Channel transistor designed for demanding applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current rating of 46A, it can handle substantial power levels while maintaining efficiency. The surface mount design makes it easy to install, and its compliance with RoHS regulations ensures it meets environmental standards. With a gate-source threshold voltage of 2V, this MOSFET is suitable for a wide range of electronic circuits, making it a versatile choice for engineers and designers

主な特長

  • Pulse Width Modulation
  • Thermal Shut Down
  • Vibration Resistant

応用

  • Reliable Automotive Relay Driver
  • Advanced Sensor Signal Conditioner
  • Flexible Actuator Control Module

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Obsolete Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 Case Outline 369AA
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 60
VGS Max (V) ±20 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 38 PD Max (W) 71
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 19 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 16
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 29 Ciss Typ (pF) 1400
Pricing ($/Unit) Price N/A

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

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