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NVF3055L108T1G

A continuous drain current and 60V source voltage, featuring a SOT-223 package

在庫：6,231

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概要 NVF3055L108T1G

The NVF3055L108T1G is a N-channel transistor with a drain-source voltage (Vds) of 60V and a continuous drain current (Id) of 3A. It is designed for surface mount applications and has a Rds(on) test voltage of 5V. With a gate-source threshold voltage max of 1.68V and a power dissipation of 2.1W, this transistor is suitable for a wide range of electronic circuits. It comes in a 4-pin package and is fully RoHS compliant, making it environmentally friendly

主な特長

  • AEC−Q200 Qualified and PPAP Capable
  • ESD Protection and Surge Protection
  • MIL-STD−883F Tested
  • Fully Conformal Coating Available
  • Operating Temperature: -40°C to 125°C
  • AEC−Q100 Qualified with PPAP Capable

応用

  • Solar Charge Controllers
  • Motor Drives
  • DC-DC Converters

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active, Not Rec Compliance PbAHP
Package Type SOT-223-4 / TO-261-4D Case Outline 0.0318
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 1000
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 60
VGS Max (V) 15 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 3 PD Max (W) 2.1
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 120 Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 18
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 7.6 Ciss Typ (pF) 313
Pricing ($/Unit) $0.4935

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

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