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NVMFS6B25NLT1G

Single T5 package MOSFET rated at 100V with 24 milliohm resistance

在庫：9,716

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概要 NVMFS6B25NLT1G

With low on-resistance and gate charge values, the NVMFS6B25NLT1G minimizes power losses and maximizes efficiency, ensuring a cost-effective solution for various applications. Its low threshold voltage makes it particularly suitable for low-voltage applications, adding to its versatility and appeal. Moreover, the MOSFET's high avalanche energy rating provides reliable protection against voltage spikes and transient events, making it the go-to choice for rugged environments where exposure to high voltage surges is a concern

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tape & Reel (TR) Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 33A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±16V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 905 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 62W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade Automotive Qualification AEC-Q101
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads Base Product Number NVMFS6

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保証、返品、および追加情報

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With a 2022 production date and RoHS compliance, product BSM180D12P3C007 is primed for swift dispatch