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NVMFD5C446NLT1G

Packaged in 8-pin DFN EP for easy installation

在庫：7,477

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概要 NVMFD5C446NLT1G

The NVMFD5C446NLT1G MOSFET is a high-performance dual N-channel transistor designed for automotive applications, with a maximum continuous drain current of 145A and a drain source voltage of 40V. With an on resistance of 0.0022 ohm and a threshold voltage of 2.2V, this MOSFET offers efficient power management and low power dissipation, with a maximum power dissipation of 125W. The DFN-8 transistor case style and 8 pins make it suitable for compact and space-constrained designs, while its AEC-Q101 automotive qualification standard ensures reliable performance in harsh automotive environments. Operating at a maximum temperature of 175°C, this MOSFET meets the rigorous demands of automotive applications while offering high reliability and performance. The lead-free construction of the NVMFD5C446NLT1G MOSFET ensures environmental compliance, making it a sustainable choice for automotive electronics

主な特長

  • Fast Turn-Off Times
  • Low Input Current
  • Negative and Positive Outputs Available

応用

  • Cost-effective solution
  • Seamless integration
  • Durable build

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type SO-8FL Dual / DFN-8 Case Outline 506BT
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 1500
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Dual V(BR)DSS Min (V) 40
VGS Max (V) ±20 VGS(th) Max (V) 2.2
ID Max (A) 145 PD Max (W) 125
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) ~NA~ RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 3.9
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 2.65 Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 25
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 54 Ciss Typ (pF) 3170
Pricing ($/Unit) $1.7887

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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