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NVMFS5C404NLAFT1G

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor T6 40V High Efficiency FET

在庫：8,655

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概要 NVMFS5C404NLAFT1G

The NVMFS5C404NLAFT1G Power MOSFET offers a range of benefits for automotive applications. Its compact size and high thermal performance make it suitable for demanding environments, while the Wettable Flank Option provides enhanced inspection capabilities. As an added assurance, this MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, making it a reliable choice for automotive designs

主な特長

  • Pulse Width Modulation
  • Schottky Barrier Diode
  • High-Gain Amplifier Stage
  • Fine-Pitch QFN Package Option
  • AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable
  • Laser Trimming for Precision

応用

  • Solenoid drivers
  • DC-DC converters
  • Load switches

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Status Active Compliance PbAHP
Package Type DFN5 5x6, 1.27P (SO−8FL) Case Outline 506EZ
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 1500
ON Target Y Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 40
VGS Max (V) 20 VGS(th) Max (V) 2
ID Max (A) 352 PD Max (W) 200
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) null RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 0.67 Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) 81
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 181 Ciss Typ (pF) 12168
Pricing ($/Unit) $1.6913

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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