PMCM4402UPEZ

Name: PMCM4402UPEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
Rating: 4.5 (10 reviews)

Advanced power management solution for efficient energy u

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P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status	Active	FET Type	P-Channel
Technology	Si	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Tj)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Power Dissipation (Max)	400mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	4-WLCSP (0.78x0.78)
Package / Case	WLCSP-4	Base Product Number	PMCM4402
Manufacturer	Nexperia	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	4.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance	65 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	900 mV	Qg - Gate Charge	10 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.3 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Nexperia	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Forward Transconductance - Min	14 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	17 ns
Factory Pack Quantity	9000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	26 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	Part # Aliases	934070415084
Unit Weight	0.000016 oz

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