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RSD201N10TL

The transistor has 1 element and belongs to the N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET category

在庫:8,375

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概要 RSD201N10TL

What sets the RSD201N10TL apart is its capability to operate at high frequencies, making it an ideal choice for applications such as power supplies, motor control, and other high-speed switching requirements. Furthermore, its low gate charge and gate charge to threshold voltage ratio effectively reduce switching losses, thereby improving overall performance and reliability

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package CPT3 Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number RSD201

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