SI1012R-T1-GE3

Name: SI1012R-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET with 20V voltage rating, 0.6A current capacity, and 700mohm resistance at 4.5V

数量	単価(USD)	合計金額
5	$0.293	$1.46
50	$0.231	$11.55
150	$0.204	$30.60
500	$0.171	$85.50
3000	$0.134	$402.00
6000	$0.125	$750.00

在庫：7,895

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部品番号 : SI1012R-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOT23-3
ブランド : VISHAY
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SI1012R-T1-GE3 データシート (PDF)

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概要 SI1012R-T1-GE3

N-Channel 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A

主な特長

["Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ", "TrenchFET\u00ae Power MOSFET: 1.8 V Rated ", "Gate-Source ESD Protected: 2000 V ", "High-Side Switching ", "Low On-Resistance: 0.7 \uf057 ", "Low Threshold: 0.8 V (typ.) ", "Fast Switching Speed: 10 ns ", "Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC"]

応用

["Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories ", "Battery Operated Systems ", "Power Supply Converter Circuits ", "Load/Power Switching Cell Phones, Pagers"]

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-75A-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	600 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	700 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	450 mV
Qg - Gate Charge	750 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	175 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI1	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	11 ns
Forward Transconductance - Min	1 S	Height	0.8 mm
Length	1.575 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	5 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	25 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	0.76 mm	Part # Aliases	SI1012R-GE3
Unit Weight	0.000071 oz

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