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SI1539CDL-T1-GE3

30V MOSFET with 0.7A Current and 0.34W Power

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.181 $0.18

在庫：8,379

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概要 SI1539CDL-T1-GE3

The SI1539CDL-T1-GE3 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a unique feature of a built-in diode, making it ideal for various electronic applications. With N and P channel transistor polarity, it offers a low on-resistance of 0.323ohm at a test voltage of 10V, ensuring efficient performance in power management. Operating within a wide temperature range of -55°C to +150°C, this SOT363 packaged component can handle continuous drain current of 700mA and a drain-source voltage of 30V without compromising its dual configuration module

主な特長

  • High current handling capability
  • Low leakage current
  • Pulse withstand capability
  • Robust against voltage transients

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-363-6 Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 700 mA Rds On - Drain-Source Resistance 388 mOhms, 890 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 3 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 340 mW
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI1 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Dual Fall Time 15 ns
Product Type MOSFET Rise Time 25 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 12 ns
Typical Turn-On Delay Time 26 ns Part # Aliases SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3
Unit Weight 0.000265 oz

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