SI3932DV-T1-GE3

Name: SI3932DV-T1-GE3
Brand: Vishay
Rating: 4.5 (10 reviews)

High Efficiency N-channel Voltage-Controlled Switch

在庫：7,748

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部品番号 : SI3932DV-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOT23-6
Brand : VISHAY
Components Classification : FET, MOSFET Arrays
日付シート : SI3932DV-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI3932DV

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概要 SI3932DV-T1-GE3

The SI3932DV-T1-GE3 is a powerful and efficient small signal field-effect transistor that can handle a maximum drain current of 3.7A and a voltage rating of 30V. It is a 2-element, N-channel silicon metal-oxide semiconductor FET, making it a reliable choice for high-frequency and low-power applications. Plus, it is HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, which means it meets the strict environmental standards for hazardous materials. This transistor comes in a TSOP-6 package, offering a small footprint without sacrificing performance

主な特長

Rise time controlled
Falling edge detection
Safe shutdown feature

応用

Load switch for portable applications DC/DC converters

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TSOP-6
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	58 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.4 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI3
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Dual
Fall Time	10 ns	Forward Transconductance - Min	10 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Part # Aliases	SI3932DV-GE3
Unit Weight	0.000705 oz

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