SI9933CDY-T1-GE3

Name: SI9933CDY-T1-GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

在庫：7,548

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部品番号 : SI9933CDY-T1-GE3
パッケージ/ケース : SOIC-8
ブランド : VISHAY
コンポーネントの分類 : FET, MOSFET Arrays
日付シート : SI9933CDY-T1-GE3 データシート (PDF)
Series : SI9933CDY

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概要 SI9933CDY-T1-GE3

Featuring a compact SOIC-8 package with 8 pins, the SI9933CDY-T1-GE3 offers easy integration into circuit designs with limited space constraints. Its dual P Channel configuration allows for versatile circuit configurations, providing flexibility in circuit design and optimization for specific performance requirements

主な特長

Robust package design
High current handling capabilities
Advanced thermal management
Low noise and vibration
Ruggedized for harsh environments
Superior reliability features

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOIC-8	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	58 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Qg - Gate Charge	17 nC	Minimum Operating Temperature	- 50 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	3.1 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI9	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Dual	Fall Time	13 ns
Forward Transconductance - Min	11 S	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	50 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	29 ns	Typical Turn-On Delay Time	21 ns
Width	3.9 mm	Part # Aliases	SI9933CDY-GE3
Unit Weight	0.006596 oz

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