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SIRA99DP-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

在庫:9,851

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概要 SIRA99DP-T1-GE3

Meet the demands of power applications with the Vishay SIRA99DP-T1-GE3 Mosfet, a high-performance P-Channel transistor designed for efficiency and reliability. Featuring a Drain Source Voltage (Vds) of 30V and a Continuous Drain Current (Id) of 195A, this Mosfet is well-equipped to handle high-power loads with ease. The Surface Mount design and Powerpak So-8 packaging offer convenient installation and space-saving advantages. With an Rds(On) Test Voltage of 10V, this Mosfet ensures efficient operation, while the Gate Source Threshold Voltage Max of 2.5V enables precise control over switching characteristics. Furthermore, this Mosfet is RoHS compliant, reflecting Vishay's commitment to environmentally conscious manufacturing practices

主な特長

  • Reliable power switching solutions assured
  • Proven track record of high-quality performance
  • Suitable for harsh industrial environments

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 195 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 172.5 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerPAK Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 57 ns
Forward Transconductance - Min 114 S Product Type MOSFET
Rise Time 183 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 64 ns Typical Turn-On Delay Time 69 ns
Unit Weight 0.017870 oz

保証と返品

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