SQ2318AES-T1_GE3

Name: SQ2318AES-T1_GE3
Brand: Siliconix
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-Power Field-Effect Transistor with 8A Drain Current, 40V Voltage Rating, 0

数量	単価(USD)	合計金額
1	$0.369	$0.37
10	$0.295	$2.95
30	$0.263	$7.89
100	$0.223	$22.30
500	$0.206	$103.00
1000	$0.195	$195.00

在庫：8,263

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部品番号 : SQ2318AES-T1_GE3
パッケージ/ケース : SOT23-3
ブランド : Siliconix
コンポーネントの分類 : Single FETs, MOSFETs
日付シート : SQ2318AES-T1_GE3 データシート (PDF)
Series : SQ2318AES

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概要 SQ2318AES-T1_GE3

Upgrade your circuits with the SQ2318AES-T1_GE3 and experience the benefits of a premium N-channel silicon MOSFET. Whether you're designing a new product or repairing existing equipment, this transistor's 8A drain current and 40V voltage rating make it a versatile choice. With its halogen-free and RoHS compliant construction, you can trust that you're making a responsible choice for the environment

主な特長

Fully Ruggedized for Harsh Environments
High Current Handling Capacity
Achieving High Reliability

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	31 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	8.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	3 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	TrenchFET	Series	SQ
Brand	Vishay / Siliconix	Configuration	Single
Fall Time	5.7 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	8.4 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns	Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns
Part # Aliases	SQ2318AES-T1_BE3	Unit Weight	0.000282 oz

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