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STD3NK50ZT4

Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

数量 単価(USD) 合計金額
1 $0.698 $0.70
10 $0.584 $5.84
30 $0.529 $15.87
100 $0.473 $47.30
500 $0.440 $220.00
1000 $0.423 $423.00

在庫：8,522

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概要 STD3NK50ZT4

These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

主な特長

  • Achieved high reliability levels
  • Low power dissipation guaranteed
  • Superior thermal management enabled
  • Excellent transient response characteristic
  • Minimal electromagnetic radiation emitted

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer STMicroelectronics Product Category FETs - Single
Series SuperMESH™ Packaging Alternate Packaging
Unit-Weight TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting-Style Surface Mount
Package-Case 1 Channel Technology D-Pak
Operating-Temperature 45W Mounting-Type 280pF @ 25V
Number-of-Channels Standard Supplier-Device-Package 2.3A (Tc)
Configuration 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V FET-Type 4.5V @ 50μA
Power-Max + 150 C Transistor-Type 13 ns
VDSS – Drain-Source Voltage 30 V Input Capacitance 2.8 Ohms
FET-Feature 8 ns Current-Continuous-Drain-Id-25°C Enhancement
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Id - Continuous Drain Current 2.3 A Rds On - Drain-Source Resistance 2.8 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 11 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 45 W
Channel Mode Enhancement Brand STMicroelectronics
Fall Time 14 ns Forward Transconductance - Min 1.5 S
Height 2.4 mm Length 6.6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 24 ns Typical Turn-On Delay Time 8 ns
Width 6.2 mm Unit Weight 0.011640 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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RD3P200SNFRATL

RD3P200SNFRATL

High-Power FET (RD3P200SNFRATL)
MAPRST0912-50

MAPRST0912-50

RF Bipolar Transistors 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
IRFP250MPBF

IRFP250MPBF

Silicon N-channel MOSFET with 200V voltage and 30A current in TO-247AC casing
IPD90P03P4L04ATMA1

IPD90P03P4L04ATMA1

Automotive Grade P-Channel MOSFET with 30V Voltage Rating and 90A Current Capability
BC857BS,115

BC857BS,115

Bipolar transistor BC857BS in SOT363 package
D1084UK

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Transistors for RF signal amplification
ACS102-6T1

ACS102-6T1

TRIAC Diode with 600V Voltage Rating
IRF6218PBF

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Low ON resistance of 150mΩ at 10V and 16A
U310-E3

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10-e3 product details
ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11GTA

ZXMN6A11G Series for Power Applications