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STW20NA50

Silicon N-Channel Power MOSFET with 0.27ohm Resistance

在庫：5,427

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概要 STW20NA50

Additionally, the MOSFET's on-state resistance of 0.4 ohms plays a crucial role in reducing power loss and improving energy efficiency. This efficiency is further enhanced by its TO-247 package design, which offers optimal thermal management for heat dissipation, ensuring stable operation even under heavy loads

主な特長

  • Lead-Free and RoHS Compliant
  • Soldering Temperature
  • 260-280°C (538°F)
  • 0.5 mm dia. wire
  • Min. 2.5 mm pitch

応用

  • Motor control
  • Welding equipment
  • Automotive systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V Id - Continuous Drain Current 20 A
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 250 W Channel Mode Enhancement
Series MDmesh K5 Brand STMicroelectronics
Configuration Single Fall Time 25 ns
Height 20.15 mm Length 15.75 mm
Product Type MOSFET Rise Time 55 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 5.15 mm
Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

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  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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