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STW34NM60N

Trans MOSFET N-CH 600V 31.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $6.484 $6.48
10 $5.689 $56.89
30 $5.204 $156.12
90 $4.797 $431.73

在庫：7,219

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概要 STW34NM60N

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

主な特長

  • Robust operation and high-speed switching
  • Ultra-low leakage current
  • High-quality surface mount device

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STW34NM60N Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Part Package Code TO-247
Package Description ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 Pin Count 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 32 Weeks, 4 Days Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Avalanche Energy Rating (Eas) 345 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 29 A
Drain Current-Max (ID) 29 A Drain-source On Resistance-Max 0.105 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-247
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 210 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 116 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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