• packageimg
packageimg

STW52NK25Z

Trans MOSFET N-CH 250V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

数量 単価(USD) 合計金額
1 $4.778 $4.78
10 $4.174 $41.74
30 $3.806 $114.18
100 $3.309 $330.90

在庫：8,024

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください STW52NK25Z このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 STW52NK25Z

Utilizing SuperMesh technology, the STW52NK25Z offers enhanced protection and reliability in demanding environments. The N-channel design provides efficient current flow and allows for versatile circuit configurations. With a TO-247 package, this MOSFET can dissipate heat effectively and maintain stable performance in diverse operating conditions

主な特長

  • ULTRA HIGH FREQUENCY RESPONSE
  • PULSE WIDTH MINIMIZATION TECHNOLOGY
  • LOW TEMPERATURE OPERATION GUARANTEED

応用

  • Industrial
  • Power Management

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Manufacturer STMicroelectronics Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V Id - Continuous Drain Current 52 A
Rds On - Drain-Source Resistance 45 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V Qg - Gate Charge 160 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 300 W Channel Mode Enhancement
Tradename SuperMESH Series STW52NK25Z
Brand STMicroelectronics Configuration Single
Fall Time 55 ns Forward Transconductance - Min 25 S
Height 20.15 mm Length 15.75 mm
Product Type MOSFET Rise Time 75 ns
Factory Pack Quantity 600 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 115 ns Typical Turn-On Delay Time 40 ns
Width 5.15 mm Unit Weight 0.211644 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G

40V 11A Automotive AEC-Q101 N-CH Trans MOSFET 8-Pin DFN EP T/R
FDN361AN

FDN361AN

SuperSOT-packaged N-channel MOSFET rated for 30V and 1.8A, presented in tape and reel packaging
IRF1404SPBF

IRF1404SPBF

N-Channel Silicon Power MOSFET with 40V Voltage Rating
SD1224

SD1224

Robust and reliable bipolar/LDMOS transistor solutio
IRF640NSPBF

IRF640NSPBF

Describing IRF640NSPBF, it's an N-channel D2PAK MOSFET designed for applications requiring a maximum voltage of 200V and a current of 18A
TGI1314-50L

TGI1314-50L

TGI1314-50L is a pre-biased bipolar transistor with a matched internal transistor GAN HEMT, designed to operate in the frequency range of 8
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

The SI7716ADN-T1-GE3 is a high-performance N-channel MOSFET tailored for power delivery
BSM300GA120DN2S

BSM300GA120DN2S

Insulated Gate Bipolar Transistor with a current rating of 430A and a breakdown voltage of 1200V, featuring an N-channel design
IRFS4610TRLPBF

IRFS4610TRLPBF

ROHS compliant under product code IRFS4610TRLPBF
MRF553G

MRF553G

Bipolar Transistor Designed for RF Communication