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STW55NM60N

High-power transistor for high-voltage application

在庫:5,528

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概要 STW55NM60N

N-Channel 600 V 51A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3

主な特長

  • Complete CODEC and FILTER system including:
  • 14 BIT LINEAR ANALOG TO DIGITAL AND DIGITAL TO ANALOG CONVERTERS.
  • 8 BIT COMPANDED ANALOG TO DIGITAL AND DIGITAL TO ANALOG CONVERTERS ALAW OR µ-LAW.
  • TRANSMIT AND RECEIVE BAND-PASS FILTERS
  • ACTIVE ANTIALIAS NOISE FILTER.
  • features:
  • ONE MICROPHONE BIASING OUTPUT
  • REMOTE CONTROL (REMOCON) FUNCTION
  • THREE SWITCHABLE MICROPHONE AMPLIFIER INPUTS. GAIN PROGRAMMABLE:0 . . 42.5 dB AMPLIFIER, 1.5 dB STEPS (+ MUTE).
  • EARPIECE AUDIO OUTPUT. ATTENUATION PROGRAMMABLE: 0 . . 30 dB, 2 dB STEPS.
  • EXTERNAL AUDIO OUTPUT. ATTENUATION PROGRAMMABLE: 0 . . 30 dB, 2 dB STEPS.
  • DRIVING CAPABILITY: 140mW OVER 8Ω
  • TRANSIENT SUPRESSION SIGNAL DURING POWER ON AND DURING AMPLIFIER SWITCHING.
  • INTERNAL PROGRAMMABLE SIDETONE CIRCUIT. ATTENUATION PROGRAMMABLE: 16 dB RANGE, 1 dB STEP.
  • INTERNAL RING, TONE AND DTMF GENERATOR, SINEWAVE OR SQUAREWAVE WAVEFORMS. ATTENUATION PROGRAMMABLE: 27dB RANGE, 3dB STEP. THREE FREQUENCY RANGES:
  • a) 3.9Hz . . . . 996Hz, 3.9Hz STEP
  • b) 7.8Hz . . . . 1992Hz, 7.8Hz STEP
  • c) 15.6Hz . . . . 3984Hz, 15.6Hz STEP
  • PROGRAMMABLE PULSE WIDTH MODULATED BUZZER DRIVER OUTPUT.
  • features:
  • SINGLE 2.7V to 3.3V SUPPLY
  • EXTENDED TEMPERATURE RANGE OPERATION () -40°C to 85°C.
  • 1.0µW STANDBY POWER (TYP. AT 2.7V).
  • 13mW OPERATING POWER (TYP. AT 2.7V).
  • 1.8V TO 3.3V CMOS COMPATIBLE DIGITAL INTERFACES.
  • PROGRAMMABLE PCM AND CONTROL INTERFACE MICROWIRE COMPATIBLE.

応用

SWITCHING

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Source Content uid STW55NM60N Pbfree Code Yes
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS Part Package Code TO-247AC
Package Description FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Pin Count 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics Avalanche Energy Rating (Eas) 850 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 51 A Drain Current-Max (ID) 51 A
Drain-source On Resistance-Max 0.06 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247AC JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 350 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 204 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    返品・返金:90日以内

    返品・交換:90日以内

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