TGI0910-50
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR GAN HEMT INTERNALLY MATCHED, 10GHz, 50W, PD140W
在庫:6,810
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部品番号 : TGI0910-50
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ブランド : Toshiba Semiconductor And Storage
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コンポーネントの分類 : Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
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日付シート : TGI0910-50 データシート (PDF)
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Series : TGI0910
概要 TGI0910-50
Xecor Corporation は、高い汎用性と信頼性を提供します。 TGI0910-50 ドライバー、プロデュース Toshiba Semiconductor And Storage. 多機能かつ高性能なこのコンポーネントは、幅広い電子プロジェクトに最適です。
このコンポーネントを最大限に活用するために必要な情報をすべて確実に入手できるように、Xecor は無料のデータシート PDF、回路図、ピン レイアウト、ピンの詳細、ピンの電圧定格、および同等のコンポーネントを提供しています。 TGI0910-50.
Xecor では無料サンプルも提供しています。サンプルリクエストフォームに記入して送信するだけで、テスト用の無料サンプルを受け取ることができます。ご不明な点がございましたら、いつでもお気軽にお問い合わせください。
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased | Series | TGI0910 |
Brand | Toshiba | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Subcategory | Transistors |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
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QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
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配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。
部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。
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![HGTG12N60A4D](/files/uploads/product/s/6d47987299144239a4a32c76e00415e2.webp)
HGTG12N60A4D
Low power dissipation
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NTGS3443T1G
Product Description: 20V P Channel SOT-23-6 MOSFET with 2.2A and 500mW
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HGTG11N120CND
ROHS-compliant TO-247AC-3 IGBTs with 298W 43A 1.2kV NPT (Non-Punch Through)
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HGTG27N120BN
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![HGTG30N60B3D](/img/package/to247.jpg)
HGTG30N60B3D
N-type Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip
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HGTG7N60A4D
IGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
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HGTG30N60C3D
IGBT HGTG30N60C3D 63A TO247
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HGTG40N60B3
70A I(C), 600V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel, TO-247
![IPTG014N10NM5ATMA1](/img/package/power33.jpg)
IPTG014N10NM5ATMA1
High-Side Gate MOSFET with 9-Pin Configuration (8 Pins + Tab)
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STGB19NC60KDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PBHV8540T,215
Bipolar Junction Transistor NPN-Type with 400V Voltage Rating
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APT47N60BC3G
channel transistor, high voltage semiconductor, TO-247 package
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IXGH40N120C3D1
Transistor with IGBT technology, 1.2kV voltage rating, 40A current rating, and 380W power handling capacity in a TO247-3 package
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STD4NK80ZT4
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