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HGTG30N60B3D

N-type Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip

数量 単価(USD) 合計金額
1 $5.630 $5.63
200 $2.179 $435.80
450 $2.103 $946.35
900 $2.066 $1,859.40

在庫：5,108

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概要 HGTG30N60B3D

The HGTG30N60B3D IGBT transistor is a high-voltage, high-current device designed for power electronic applications. With a collector current rating of 60A and a collector emitter saturation voltage of 1.9V, this transistor is capable of handling significant power levels with ease. Its TO-247 case style ensures efficient heat dissipation, allowing for a power dissipation rating of 208W. The collector emitter voltage rating of 600V provides ample headroom for high voltage applications, while the 3-pin configuration simplifies installation and circuit design

主な特長

  • Fast Recovery Time: 50ns at TJ = 150°C
  • High Surge Capability
  • Isolation Voltage: 2500VDC min.
  • Low Leakage Current
  • High Temperature Range Operation
  • Easy to Handle, Robust Construction

応用

  • Banking
  • Food Processing
  • Government

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Transistors RoHS Details
REACH Details Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 60 A Pd - Power Dissipation 208 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG30N60B3D Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 60 A Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 250 nA Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Part # Aliases HGTG30N60B3D_NL
Unit Weight 0.225401 oz

保証と返品

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    返品・交換：90日以内

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