TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor And Storage
Rating: 4.5 (10 reviews)

-60V, -8A P-Ch MOSFET capable of dissipating 27W of power and with a capacitance of 890pF

在庫：5,992

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P-Channel 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	DPAK-3 (TO-252-3)	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	104 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 10 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	19 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	27 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	U-MOSVI	Series	TJ8S06M3L
Brand	Toshiba	Configuration	Single
Fall Time	34 ns	Height	2.3 mm
Length	6.5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	6 ns	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	140 ns	Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Width	5.5 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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