TPW2R508NH,L1Q

Name: TPW2R508NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.5 (10 reviews)

Robust and reliable MOSFET technology for efficient energy transfer

在庫：8,606

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N-Channel 75 V 150A (Ta) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	TPW2R508NH	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	150A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6000 pF @ 37.5 V
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta), 142W (Tc)	Operating Temperature	150°C
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	8-DSOP Advance
Package / Case	DSOP-8	Manufacturer	Toshiba
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	75 V
Id - Continuous Drain Current	170 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	72 nC	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	142 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	U-MOSVIII-H	Brand	Toshiba
Configuration	Single	Fall Time	15 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	11 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	56 ns
Typical Turn-On Delay Time	30 ns	Unit Weight	0.003668 oz

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