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UF3C065030K3S

Silicon Carbide Power Field-Effect Transistor capable of handling 85A current at 650V voltage

在庫:5,040

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概要 UF3C065030K3S

The UF3C065030K3S power module is a cutting-edge silicon carbide (SiC) technology that offers high-performance power electronic capabilities. With a current rating of 65A and a voltage rating of 1200V, this three-phase bridge module is compact and lightweight, making it perfect for various power conversion systems such as renewable energy inverters, electric vehicles, and industrial motor drives. The advanced SiC MOSFET and Schottky diode technology integrated into the module ensure high efficiency, low switching losses, and improved thermal performance, setting it apart from traditional silicon-based power modules. This makes it an excellent choice for high-frequency switching applications and high-temperature environments. Additionally, the UF3C065030K3S features an integrated gate driver, simplifying system design and reducing overall system size and cost. Furthermore, it comes with built-in protection features, including over-current and over-temperature protection, to guarantee safe and reliable operation

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 15 V
Vgs (Max) ±25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 441W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package TO-247-3
Package / Case TO-247-3 Base Product Number UF3C065030

保証と返品

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