2N720A
Small signal amplifier with low noise and distortion performan
数量 | 単価(USD) | 合計金額 |
---|---|---|
1 | $22.431 | $22.43 |
200 | $8.951 | $1,790.20 |
500 | $8.651 | $4,325.50 |
1000 | $8.504 | $8,504.00 |
在庫:6,962
- 90日間のアフター保証
- 365日の品質保証
- 正規品保証
- 7*24時間サービス検疫
-
部品番号 : 2N720A
-
パッケージ/ケース : TO-18
-
ブランド : ST
-
コンポーネントのカテゴリ : Single Bipolar Transistors
-
日付シート : 2N720A データシート (PDF)
概要 2N720A
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 500 mW Through Hole TO-18
主な特長
- Hermetically sealed TO-18 metal can
- Also available in chip configuration
- Chip geometry 4500
- Reference document: MIL-PRF-19500/182
- Benefits
- Qualification Levels: JAN, JANTX, JANTXV
- Radiation testing available
仕様
以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。
Manufacturer | Microchip Technology | Product Category | Transistors (BJT) - Single |
Series | - | Packaging | Bulk |
Package-Case | TO-18 (TO-206AA) | Mounting-Type | 500mW |
Supplier-Device-Package | NPN | Power-Max | 500mA |
Transistor-Type | 5V @ 15mA, 150mA | Electric current collectors | 10μA (ICBO) |
保証と返品
保証、返品、および追加情報
-
QAと返品ポリシー
部品の品質保証: 365 日
返品・返金:90日以内
返品・交換:90日以内
-
配送と梱包
配送: たとえば、FedEx、SF、UPS、または DHL.UPS、または DHL。
部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。
-
支払い
たとえば、VISA、MasterCard、UnionPay、Western Union、PayPal などのチャネルです。
特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。
STP12NM50
The STP12NM50 is a N-channel MOSFET transistor that can handle up to 500V and 12A, packaged in TO-220AB with 3 pins and supplied in tube packaging
2N5416
Trans GP BJT PNP 300V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
STW42N60M2-EP
N-channel MOSFET with high voltage and current capabilitie
STF12N65M2
Robust and efficient power switching in automotive and industrial systems
STP22NM60N
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP12NK30Z
MOSFET N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
STF2N95K5
Trans MOSFET N-CH 950V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STP12N120K5
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP2NK90Z
Trans MOSFET N-CH 900V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
IPP60R074C6
IPP60R074C6 MOSFET by Infineon"
HGT1S20N60C3S9A
The HGT1S20N60C3S9A is a high-performance N-Channel IGBT, capable of handling 45A at 600V
NVMFS5C426NWFAFT1G
NVMFS5C426NWFAFT1G: N-channel MOSFET, capable of handling 40 volts, 235 amperes, with a resistance of 1.3 milliohms
BTA26-800CWRG
The BTA26-800CWRG is designed with a 25A current rating, 800V voltage capability, and comes in a TOP3 package
CM150DU-12F
High-performance module with N-channel insulated gate bipolar transistors capable of handling up to 600V and 150A
CPH3362-TL-W
SOT-23 Surface Mount Power MOSFET, Single P-Channel, 100V, 0.7A, 3.7nC
NSS12201LT1G
12V NPN transistor capable of handling 4.0A of current
IXFN180N20
IXFN180N20: Power MOSFET with N-type channel, capable of handling 200 volts and 180 amperes, packaged in 4 pins using SOT-227B standard
SI2300DS-T1-GE3
VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
DTA143EEBTL
100mA 50V digital transistors with bipolar technology