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BSM50GB120DN2

Channel Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 1200V V(BR)CES

数量 単価(USD) 合計金額
1 $176.585 $176.58
200 $68.337 $13,667.40
500 $65.936 $32,968.00
1000 $64.748 $64,748.00

在庫：3,928

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概要 BSM50GB120DN2

The BSM50GB120DN2 IGBT module is a high-quality dual module with a collector-emitter voltage (Vces) of 1200V and a collector current rating of 78A. This module is designed to provide reliable and efficient performance in various industrial and commercial applications. With a power dissipation (Pd) of 400W and an operating temperature range of -40°C to +125°C, the module is well-suited for use in demanding environments. The 7-pin module configuration and screw termination type make installation and integration straightforward. The module also features a fast fall time (tf) and rise time of 100ns, allowing for quick and efficient switching. Its low voltage drop (Vces) of 3V and high voltage rating of 1.2kV (V(br)ceo) make it an ideal choice for high-power applications

主な特長

  • High Speed Switching
  • Soft Turn-Off
  • Overcurrent Protection
  • Short-Circuit Protection

応用

  • Electric vehicles
  • Welding equipment
  • Solar inverters

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 78 A Gate-Emitter Leakage Current 200 nA
Pd - Power Dissipation 400 W Package / Case Half Bridge1
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 30.5 mm
Length 94 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 34 mm
Part # Aliases SP000095922 BSM50GB120DN2HOSA1 Unit Weight 6.248606 oz

保証と返品

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