BSZ037N06LS5ATMA1

Name: BSZ037N06LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-Voltage MOSFET for Efficient Power Conversi

在庫：6,144

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部品番号 : BSZ037N06LS5ATMA1
パッケージ/ケース : TSDSON-8
Brand : Infineon Technologies
Components Classification : Single FETs, MOSFETs
日付シート : BSZ037N06LS5ATMA1 データシート (PDF)
Series : BSZ037N06LS5

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概要 BSZ037N06LS5ATMA1

N-Channel 60 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series	OptiMOS	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	Si
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 36µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TSDSON-8-FL
Package / Case	TSDSON-8	Base Product Number	BSZ037
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.7 V	Qg - Gate Charge	35 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	69 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Forward Transconductance - Min	33 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	5 ns
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	26 ns
Typical Turn-On Delay Time	9 ns	Part # Aliases	BSZ037N06LS5 SP002035218
Unit Weight	0.001367 oz

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