• packageimg
packageimg

FD150R12RT4

High Power Dissipation Rating of 790mW

数量 単価(USD) 合計金額
1 $123.513 $123.51
200 $47.799 $9,559.80
500 $46.119 $23,059.50
1000 $45.289 $45,289.00

在庫：6,412

*価格は参考値です。
  • 90日間のアフター保証
  • 365日の品質保証
  • 正規品保証
  • 7*24時間サービス検疫

迅速な見積もり

見積もりリクエストを送信してください FD150R12RT4 このフォームを使用してください。また、次の電子メールでご連絡いただくこともできます Email: [email protected], 12時間以内に返信させていただきます。

概要 FD150R12RT4

The FD150R12RT4 from Infineon Technologies is a cutting-edge power electronic module designed for high-power applications. With a current rating of 150A and a voltage rating of 1200V, this dual IGBT module offers exceptional performance and efficiency. Its compact and lightweight design makes it ideal for integration into various systems, while its low conduction and switching losses ensure maximum energy savings

主な特長

  • Enhanced electromagnetic immunity
  • Precise current sensing capabilities
  • Low input capacitance
  • Integrated DC bus voltage monitor

応用

  • Cost-effective solution
  • Environmentally friendly

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

IC max 150.0 A Housing 34 mm
Configuration Chopper Qualification Industrial
Technology IGBT4 - T4 Voltage Class max 1200.0 V

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。

AON6280

AON6280

AON6280 is a MOSFET boasting an 80-volt capacity with a 4
IXFH20N80P

IXFH20N80P

The MOSFET is commonly used for high power switching and amplification in electronic circuits
DDTC123JCA-7-F

DDTC123JCA-7-F

High-quality 50 V NPN Transistor pre-biased for easy installation and use
DE275-501N16A

DE275-501N16A

6-pin transistor with 4 pins and 2 additional tabs, designed for N-channel operation
SST112

SST112

Three-pin FET suitable for small-signal amplification and switching tasks
RSR010N10TL

RSR010N10TL

Transistor MOSFET with N-channel configuration suitable for low-power switching applications
IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF

100V N-type MOSFET capable of handling up to 1.5A of current
MRF553G

MRF553G

Bipolar Transistor Designed for RF Communication
KST5401MTF

KST5401MTF

0.5A PNP bipolar transistor capable of handling voltages up to 150V, ideal for small signal amplification
IXYH82N120C3

IXYH82N120C3

IGBT with N-type channel, 1200V voltage rating, 200A current capacity, TO247AD package, XPT GenX3 technology