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IXFH20N80P

The MOSFET is commonly used for high power switching and amplification in electronic circuits

在庫：6,262

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概要 IXFH20N80P

Elevate your power electronics design with the IXFH20N80P Polar™ HiPerFETs. These advanced FETs combine the exceptional characteristics of the Polar Standard product line with a faster body diode that decreases reverse recovery time (trr), making them perfect for phase-shift bridge motor control and UPS applications. With superior features like the lowest RDS(on), low thermal resistance (RthJC), low gate charge (Qg), and enhanced DV/DT capability, these HiPerFETs offer unmatched performance and reliability for a wide range of high-power requirements

主な特長

  • Improved Reliability
  • Fast Switching Times
  • Low Power Consumption

応用

  • Powerful and efficient supply
  • Reliable battery charging
  • Controlled motor drives

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Drain-Source Voltage (V) 800 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.52
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 20 Gate Charge (nC) 86
Input Capacitance, CISS (pF) 4685 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.25
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 500 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request Yes Check Stock Yes

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

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