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FDZ375P

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概要 FDZ375P

Designed on an advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ375P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low gate charge, and low rDS(on).

主な特長

  • Robust against voltage spikes
  • Safe and secure operation ensured
  • Ultra-low standby current consumed

応用

  • Perfect for various tasks
  • Manage power effectively
  • Protect your batteries

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Series FDZ375P Product Status Active
FET Type P-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 865 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package 4-WLCSP (1x1)
Package / Case WLCSP-4 Manufacturer onsemi
Product Category MOSFET RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 3.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 143 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 15 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Forward Transconductance - Min 11 S Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 5000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Unit Weight 0.002413 oz

保証と返品

保証、返品、および追加情報

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    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

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