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GAN063-650WSAQ

High voltage MOSFET suitable for various power applications

在庫：9,469

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概要 GAN063-650WSAQ

The GAN063-650WSA is a cutting-edge 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET that represents the pinnacle of technological advancement in the field. By seamlessly combining Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies, this device offers unparalleled reliability and performance that is unmatched in the industry. With its normally-off configuration, the GAN063-650WSA provides users with a level of convenience and peace of mind that is simply unparalleled

主な特長

  • Excellent surge withstand capability
  • Compact package with good thermal dissipation
  • Low input capacitance and output impedance

応用

  • High-performance drives
  • Data communication power
  • Reliable UPS systems

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Package Tube Product Status Active
FET Type N-Channel Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 143W (Ta) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Supplier Device Package TO-247-3
Package / Case TO-247-3 Base Product Number GAN063

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、DHL、SAGAWA、YTC など。

    部品パッケージ保証: 100% ESD 帯電防止機能を備えた当社のパッケージは、高い強度と優れた緩衝機能を備えています。

  • 支払い

    たとえば、VISA、MasterCard、Western Union、PayPal、MoneyGram、楽天ペイなどのチャネルです。

    特定の支払いチャネルの好みや要件がある場合は、当社の営業チームにご連絡ください。