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HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

在庫：7,884

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概要 HGTD1N120BNS9A

With its advanced technology, HGTD1N120BNS9A stands out as a top-of-the-line solution for demanding applications that require high voltage switching. Its Non-Punch Through(NPT) IGBT design sets it apart, providing exceptional performance in scenarios where minimizing conduction losses is key. Whether it's used in UPS systems, solar inverters, motor control units, or power supplies, this product delivers reliable and efficient operation

主な特長

  • Safe Operating Temperature: -55°C to 150°C
  • Peak Current: 3A, DC Input
  • Pulse Width Modulation (PWM)
  • Continuous Collector Current: 2.5A at TJ = 125°C
  • Safe Operating Frequency: 0Hz to 100kHz
  • Thermal Shutdown Protection: Yes

応用

  • Emergency power source
  • Backup energy solution
  • Continuous power backup

仕様

以下は、選択された部品の特性やカテゴリーに関する基本的なパラメータである。

Product Status Last Time Buy IGBT Type NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V Current - Collector (Ic) (Max) 5.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 6 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Power - Max 60 W Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off)
Input Type Standard Gate Charge 14 nC
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns Test Condition 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Supplier Device Package TO-252AA
Base Product Number HGTD1N120

保証と返品

保証、返品、および追加情報

  • QAと返品ポリシー

    部品の品質保証: 365 日

    返品・返金：90日以内

    返品・交換：90日以内

  • 配送と梱包

    配送: たとえば、FedEx、JP、UPS、または DHL.SG、または YTC。

    部品のパッケージング保証: 100% ESD 帯電防止保護を特徴とする当社のパッケージングには、高い靭性と優れた緩衝機能が組み込まれています。

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